高精度鐵磁共振儀

   寬頻帶鐵磁共振（FMR）別適合研究磁性薄膜，它不僅是基礎自旋電子學和磁學研究的基礎，而且也是當前和未來磁存儲、磁性傳感器、邏輯和微波信號處理技術的組成部分。鐵磁共振測試在高頻磁學和自旋電子學有著重要的應用，例如硬盤的讀取頭，MRAM和自旋轉矩振蕩器等。

高精度鐵磁共振儀-FMR主要征:

• 用戶操作界面友好，使用簡便易用

• 使用共面波導的寬頻帶鐵磁共振

• 測試有效磁矩 (Meff), 各向異性參數(K), 旋磁比 (γ), 阻尼系數(α), 非均勻展寬(ΔH?)

• 高精度鐵磁共振可以測出1.4nm鈷鐵硼薄膜信號

• 可以選擇擴展逆自旋霍爾測試

• 同時擁有掃場模式和掃頻模式

軟件用戶使用非常友好，操作界面分為三個部分：

• 設置掃描參數

• 運行測試及實時觀察

• 后期處理和參數提取

高精度鐵磁共振儀-FMR設備型號

參數規格

應用案例

■  退火后的薄膜性

Pd(8)/Cu(15)/Co(8)/Cu(8)/Ni80Fe20(4.5)/Cu(3)/Pd(3)（厚度以nm計）偽自旋閥多層膜疊層的共振磁場和線寬的頻率依賴性如圖1所示。薄膜疊層含有Co和Ni80Fe20兩個鐵磁層，只顯示了Ni80Fe20層的共振磁場和線寬。本次研究進行了三次測量。第yi次是對原始薄膜疊層，它表現出高的飽和磁化強度和低的阻尼。然而，在隨后的兩個后退火過程（200°C持續12小時）之后，FMR測量顯示飽和磁化強度輕微降低，阻尼顯著增加。這些變化歸因于熱處理后Ni80Fe20薄膜內部的結構變化以及附近Cu層向Ni80Fe20的相互擴散。[1]

圖1  偽自旋閥多層膜疊層的共振場和線寬的頻率依賴性。原始薄膜（黑色符號和線條）顯示出與隨后退火的薄膜（紅色和藍色符號和線條）的明顯變化。

參考文獻

[1] A. Houshang, et al., “Effect of excitation fatigue on the synchronization of multiple nanocontact spin-torque oscillators", IEEE Magnetics Letters 5, 3000404 (2014)

■  提取合金膜的飽和磁化強度Ms，阻尼系數α，以及交換勁度A

除了前面描述的所有自旋通過薄膜厚度同相進動的均勻FMR進動外，在薄膜樣品中還可以激發額外的高階自旋波模式。例如，圖2（a）所示的垂直駐波自旋波（PSSW）模式可以被激發，并且可以很容易地使用高精度鐵磁共振測試儀FMR在相對較厚的薄膜（>50nm）中測量。如圖2（b）所示，可觀察到兩個共振，對應于FMR和PSSW模式。注意，對于固定頻率，PSSW模式將出現在比FMR模式低的場中。如Yin等人所述，通過擬合PSSW模式的共振場，還可以測量交換勁度常數A。圖2中所示的模型系統是100納米厚的坡莫合金（Py）薄膜，由貴金屬合金（更具體地說是Py100-xMx）合金制成，其中M=Pt、Au或Ag。圖2（c）中所示的阻尼α、飽和磁化強度Ms和交換勁度A是貴金屬濃度的函數。般來說，在Py中加入Pt、Au和Ag會增加阻尼，降低飽和磁化強度和交換剛度。更有趣的是，發現Ag的加入顯著降低了MS和A，對α的影響很小。[2]

圖2 （a） 磁性薄膜中FMR和PSSW模式的示意圖。（b，插圖）f=9GHz下的掃場譜，它清楚地顯示了FMR和PSSW共振。（b，主圖）提取了100nm厚Py85Pt15薄膜的FMR（藍色）和PSSW（紅色）模式的共振場的頻率依賴性。（c） 阻尼α、飽和磁化強度Ms和交換勁度A的成分依賴性

參考文獻

[2] Y. Yin, et al., “Tunable permalloy-based films for magnonics devices", Physical Review B 92, 024427 (2015).

■  溫度依懶性研究

在不同溫度下測量FMR譜的能力對于物理和材料科學界也至關重要，因為飽和磁化強度、阻尼和非均勻展寬的溫度依賴性提供了對基本動力學的進步了解。用于Quantum Design公司的綜合物性測量系統（PPMS）或DynaCool的CryoFMR樣品桿允許在4→400 K的溫度范圍內進行簡單和自動化的測量。（注：VersaLab測量平臺允許在55→400 K的范圍內進行測量。）

圖3(a)顯示了系列測量譜，顯示了100 nm厚的Py85Au15薄膜在寬溫度范圍內的FMR和PSSW模式。圖3(a)的插圖顯示了FMR模式的提取線寬，用于將LabVIEW程序與PPMS、DynaCool、Versalab和MPMS3系統接口，計算兩種不同溫度下的磁阻尼。圖3(b)顯示了各種不同合金的自旋波勁度常數D（與交換勁度A相關的參數）的提取溫度依賴性。圖3(c)顯示了三個鐵磁薄膜樣品的飽和磁化強度、阻尼和非均勻展寬的溫度依賴性，在成分和沉積條件上只有微小的差異。有趣的是，對于三個樣品中的細微差異，我們觀察到了溫度依賴性在數量和趨勢上的顯著差異。[3]

圖3（a，主圖）23-350 K溫度下的共振譜。（a，插圖）兩種不同溫度下FMR模式線寬的頻率依賴性。（b） 各種坡莫基合金自旋波勁度的溫度依賴性。（c） Western Digital的Susumu Okamura博士提供了三個鐵磁薄膜樣品的MS、α和ΔHo的溫度依賴性。

參考文獻

[3] Y. Yin, et al., “Ferromagnetic and spin-wave resonance on heavy metal doped permalloy films: temperature effects", IEEE Magnetics Letters 8, 3502604 (2017).

■  逆自旋霍爾效應(ISHE)

如果我們考慮個鐵磁/非磁雙層膜（如Ni80Fe20/Pd）進行FMR，來自Ni80Fe20鐵磁層的自旋擴散流將進入非磁性Pd層，這歸因于已知的自旋泵浦現象[4]。然后通過逆自旋霍爾效應（ISHE）[5]，自旋的擴散流將被轉換為可測量的橫向直流電壓，這在具有大自旋軌道相互作用的非磁性層（如Pt、W、Pd等）中是顯著的。圖4(A)所示的殊CPW，用于測量ISHE產生電壓（VISHE）的電觸點，并連接到NanOsc FMR光譜儀上的單輸入端。ISHE電壓是用測量FMR響應的鎖定放大器測量的。然而，對于ISHE測量，提供了兩種不同的調制方案?？梢裕╥）使用提供的亥姆霍茲線圈調制外部磁場，如測量FMR響應時所做的，或者（ii）使用內部繼電器切斷/脈沖VISHE。兩種調制方案如圖4(b)所示，用于Ni80Fe20/Pd雙層。注意，場調制響應具有類似于導數的曲線形狀，而脈沖調制信號與場調制信號相比表現出單峰值和提升的信噪比。

圖4 （a） 用帶有電觸點的殊共面波導進行ISHE測量的實驗設計。（b） 采用場調制（頂部）或脈沖調制（底部）檢測方案，測量了Ni80Fe20/Pd雙層膜在三種典型頻率下的VISHE響應。

參考文獻

[4] Y. Tserkovnyak, A. Brataas, G.E.W Bauer, “Enhanced Gilbert damping in thin ferromagnetic films", Physical Review Letters 88, 117601 (2002).

[5] J.E. Hirsch, “Spin Hall Effect", Physical Review Letters 83, 1834 (1999).

■  Nature Communications：納米接觸磁隧道結中自旋轉移力矩驅動的高階傳播自旋波

早期的磁隧道結依靠磁場實現磁化翻轉，這種方式往往功耗較高，隨著工藝尺寸減小, 寫入電流將急劇增大, 難以在納米磁隧道結中推廣應用。1996年, Slonczewski和Berger從理論上預測了種被稱為自旋轉移矩（Spin Transfer Torque, STT）的純電學的磁隧道結寫入方式，克服了傳統磁場寫入的缺點，并且寫入電流的大小可隨工藝尺寸的縮小而減小。2000年前后, 自旋轉移矩在實驗上被用于實現金屬多層膜的磁化翻轉[6]?；诖诵?，種新型的微波振蕩器被提出來，即自旋轉移力矩納米振蕩器（STNO），用自旋化電流誘導納米磁體磁矩翻轉，從而實現了微波振蕩。

STNO的典型結構采用個三明治結構“固定鐵磁層FM/非磁性層NM/自由鐵磁層FM"來實現，因為內部阻尼的作用，為了維持自振蕩，需要106-108 A/cm2的大電流密度，這可以通過在三層膜上使用納米觸點對電流實現空間壓縮來實現，這也是小型化磁振子器件中較有效的自旋波注入器。隧穿磁電阻(TMR)比巨磁阻(GMR)高個或多個數量，為了實現高效的電子自旋波讀出，磁振子器件還必須基于磁隧道結(MTJ)。

圖5  a.普通納米觸點振蕩器結構；b.寬邊帽納米觸點振蕩器結構；

c.磁滯回線；d.磁電阻測試：內嵌圖為自由層的鐵磁共振頻率和面內磁場關系。
（圖片來源： Nature Communications (2018) 9:4374）

與頂部金屬層相比，MTJ隧穿勢壘的導電性相對較低，導致普通納米觸點的大橫向電流分流（圖5a）。為了使更多的電流通過MTJ，哥德堡大學物理系的J. ?kerman課題組[7]采用了寬邊帽結構納米觸點，當MTJ覆蓋層從納米觸點向外延伸時，帽狀帽層逐漸變薄，并使用層1.5Ω·m2低阻面積(RA)產品的MgO進步促進隧穿勢壘(圖5b)。

圖6  不同驅動電流下功率譜密度和磁場關系，

a Idc= ?5 mA, b Idc =?6 mA, c Idc= ?7 mA, d Idc = ?8 mA, e Idc = ?9 mA, and f Idc =?10 mA.

（圖片來源： Nature Communications (2018) 9:4374）

所得到的器件表現出與納米觸點STNO相關的典型自旋波模式，在不同驅動電流下觀測到兩個二階和三階傳播自旋波模態（如圖6），這兩種模式的波長估計分別為120和74納米，比150納米觸點小得多。該研究表明這些高階傳播的自旋波將使磁振子器件能夠在*的頻率下工作，并大大增加它們的傳輸速率和自旋波傳播長度。

參考文獻

[6] 趙巍勝,王昭昊,彭守仲, 王樂知, 常亮, 張有光, STT-MRAM存儲器的研究進展.中國科學: 物理學 力學 天文學 46, 107306 (2016 )

[7] Houshang, A. , J. ?kerman,et al. Nature Communication (2018) 9:4374

測試數據

■  逆自旋霍爾效應(Inverse Spin Hall Effect)

■  NiFeCu合金在不同磁場下，不同溫度下的鐵磁共振性

該數據的采集使用了Montana公司的恒溫器

用戶單位