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                  多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統

                  多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統

                  簡要描述:致真精密儀器(青島)有限公司生產的多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統,以自主設計的光路結構及奧林巴斯、索萊博光電元件為基礎制造,適用于磁性材料/ 自旋電子器件的磁疇成像和動力學研究。

                  產品型號: 暫無

                  所屬分類:磁性測量

                  更新時間:2023-04-25

                  廠商性質:生產廠家

                  詳情介紹
                  品牌其他品牌應用領域化工,能源,電子,航天,電氣

                  多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統

                  ——眼見為實:讓磁學測試可視化!

                         致真精密儀器(青島)有限公司生產的多功能高分辨率磁光克爾顯微成像系統,以自主設計的光路結構及奧林巴斯、索萊博光電元件為基礎制造,適用于磁性材料/ 自旋電子器件的磁疇成像和動力學研究。

                   

                  ★  多功能探針臺,能夠提供面內、垂直磁場及多對直流/ 高頻探針- 磁光成像與自旋輸運測試結合!

                  ★  高達1.8T 垂直磁場,1 T 面內磁場,4K-800K 變溫,可用于硬磁材料成像研究。

                   

                  多功能控制系統

                   

                  測試信號控制

                  - 垂直/ 面內磁場/ 電流/ 微波等多路信號 μs 別同步施加;

                  - 各信號的波形、幅度、頻率、相對延時等參數輕松調節。

                   

                  圖像處理

                  - 實時作差消背底噪聲;

                  - 自動糾正震動漂移等。

                   

                  信號解析

                  - 電流、磁場測試信號的實時顯示;

                  - 基于克爾圖像分析,對樣品局域 (300 nm) 或全局做磁滯回線掃描。

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                  磁場探針臺

                   

                  面內磁場

                  ★  高達1 T,反應速度50 ms,精度0.1 mT。

                   

                  三路垂直磁鐵任意切換

                  ★  磁場1:高達1.8 T,反應速度50 ms,精度0.1 mT;

                  ★  磁場2:高達30 mT,反應速度50 μs,精度0.01 mT;

                  ★  磁場3:高達50 mT,反應速度1 μs, 精度0.01 mT;

                  ★  可配置6 個直流/ 高頻探針,配置10 V,20 MHz任意波形信號源。

                   

                  成像效果

                  ★  克爾成像分辨率300 nm (100 倍物鏡);

                  ★  視野:1.2 mm×1 mm (5 倍物鏡);

                  ★  能檢測2 個原子層薄膜的磁性變化。

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                  CoFeB(1.3 nm)/W(0.2)/CoFeB(0.5) 薄膜中的迷宮疇

                  圖像處理

                   

                  ★  以任意圖像為背底,實時作差消噪聲;

                  ★  圖像漂移校正,自動添加比例尺等功能。

                  CoFeB(20 nm) 薄膜中,

                  [ 面內磁場20mT] 驅動磁疇翻轉

                   

                  CoTb 亞鐵磁微米線中SOT 驅動的磁性翻轉

                  CoFeB/W/CoFeB

                  薄膜中的微米大小的磁泡

                   

                  200 nm 寬的Ta/CoFeB/MgO 線中,

                  [120 mT, 5 μs] 磁場脈沖驅動疇壁移動

                  其他功能

                  ★  分析全局或者局部 (300 nm) 克爾圖像,獲得磁滯回線;

                  ★  磁滯回線的橫軸可以為面內、垂直磁場或者電流等任意激勵信號;

                  ★  可配置變溫系統:4K-800K 溫度可調;

                  ★  搭配ST-FMR,二次諧波等測試系統和軟件;

                  ★  預留各種接口,可根據實驗需求自主改裝。


                  應用案例

                   

                  ■  局部磁本征參數表征

                   

                  克爾顯微鏡有套表征幾乎所有磁學本征參數的方法。與其它表征方法相比,勢是可以進行微小區域內(300 nm) 的局部性質表征,為各種磁性調控實驗 (如輻照、壓控、光控磁)、以及性質不均的材料表征提供了可能性。

                  局部飽和磁化強度MS表征

                   

                  由于偶作用,磁疇壁在靠近時會相互排斥。通過觀察不同磁場下疇壁的距離,可以提取局部區域的飽和磁化強度MS。此方法由巴黎- 薩克雷大學Nicolas Vernier 教授(本公司技術顧問)在2014 年提出并驗證。與VSM 測量結果得到良好吻合[1]。

                   

                  局部各向異性能 K 的表征

                   

                  通過分析局域克爾圖像明暗變化,可以獲得磁滯回線,從而提取局部區域等效各向異性場強度。

                   

                   

                  海森堡交換作用常數Aex

                   

                  用我們的磁場“自定義波形”功能,將樣品震蕩退磁,再將得到的迷宮疇圖片進行傅里葉變換,能夠得知磁疇寬度,從而提取海森堡交換作用剛度[2]。

                   

                  退磁狀態下的薄膜材料的磁疇結構

                   

                  Dzyaloshinskii-Moriya 作用( DMI) 的表征

                   

                  用面內磁場和垂直磁場共同作用下的磁疇壁非對稱性擴張,能夠測量薄膜材料的DMI 作用強度?;诖丝钤O備的得到的成果發表在Nanoscale 雜志[3]。

                   

                    

                   

                  參考文獻:

                  [1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).

                  [2] M. Yamanouchi et al., IEEE Magn. Lett. 2, 3000304 (2011). 

                  [3] Anni Cao et al., Nanoscale 10, 12062 (2018).

                   

                  ■  磁疇壁動力學研究

                   

                  磁場、電流或者其它激勵下磁疇壁的移動速度測量

                  方法:施加幅度為B, 寬度為t 的磁場/ 電流脈沖,在脈沖

                  前后分別拍攝克爾圖像并作差,獲得疇壁移動距離d,則速

                  度v=d/t。

                  備注:有限視野范圍內,超快疇壁運動的測量需要超短信

                  號脈沖。本系統配置的 μs 反應速度的磁場可實現200m/s

                  疇壁速度的測量。

                  10ms 力波磁場脈沖

                  4 μs 超快磁場脈沖

                  磁疇壁張力效應的觀測

                   

                  用微秒別超快磁場脈沖,可在微小樣品中創造出磁泡。用此款高分辨率克爾顯微鏡,*觀察到了磁疇壁在自身張力作用下的自發收縮過程[1-3]。

                   

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                  磁疇壁Hall bar 處的釘扎作用

                   

                  用磁場脈沖,我們控制磁疇壁在納米線中的位置。觀察磁疇壁的釘扎過程并測量解釘扎磁場[1]。

                   

                   

                  參考文獻:

                  [1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 9, 024032 (2018).

                  [2] Xueying Zhang et al. Nanotechnology 29, 365502 (2018).

                  [3] Anni Cao et al., IEEE Magn. Lett. 9, 1 (2018).

                   

                  ■  自旋輸運性質測試+成像

                   

                  STT 電流驅動的磁疇壁運動

                   

                  通過配備的探針和主控系統的任意波形發生器,可向樣品施加50 ns–s 別的方波,觀察磁疇壁運動并測量速度。

                   

                  STT 電流與垂直磁場共同作用下的磁疇壁運動

                   

                  在某些材料中,無法觀測到純電流驅動的磁疇壁運動。這時,可以用此設備μs 別的超快磁場脈沖與電流同步,觀測垂直磁場+ 電流共同驅動的疇壁運動,從而解析多種物理效應,如重金屬/ 鐵磁體系的自旋化率由于自旋散射降低的效應[1]。

                   

                  微秒同步的磁場和電流方波脈沖

                   

                  電流與面內磁場共同作用下的磁疇壁運動

                   

                  Hall 自旋流與面內磁場共同作用,誘導磁矩翻轉,即所謂的SOT 翻轉。本設備配置的面內磁場和電學測試系統,不但可以實現這個過程的電學測試,還可以用相機與信號采集卡同步的功能,逐點解析翻轉曲線對應的磁疇狀態[2]。

                   

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                  參考文獻:

                  [1] Xueying Zhang et al., Phys. Rev. Appl. 11, 054041 (2019). 

                  [2] Xiaoxuan Zhao et al., Nanotechnology 30, 335707 (2019).

                   

                  更多應用案例,請您致電 010-85120277/78/79/80 或寫信至 info@qd-china.com 獲取。


                  數據處理

                   

                  1. 檢測磁性材料質量

                  MgO/Co/Pt 樣品:

                  MgO 晶格錯位導致的Co 薄膜缺陷。

                  在微小磁場作用下,缺陷周圍即出現磁性翻轉。

                   

                  質量不好磁性薄膜,

                  磁性翻轉過程中出現雪花狀磁疇。

                   

                  質量良的磁性薄膜,

                  磁疇結構均勻,邊緣光滑。

                  2. 檢測缺陷位置

                   

                   

                  缺陷處,磁疇壁運動變形,形成釘扎效。用高分辨率物鏡,可以直接觀察缺陷位置(紅圈)。

                   

                  3. 自旋電子器件損傷檢測

                   

                   

                  自旋電子器件中,在微加工過程中,樣品邊緣出現損傷,導致在磁場作用下穩定性下降,邊緣出現翻轉[1]。


                  4. 解析磁滯回線結果

                  磁光克爾顯微鏡由于具有空間分辨勢,可以解析磁滯回線對應的磁疇狀態。如右圖,由于偶作用比各向異性占勢,樣品出現自發退磁。

                   

                  參考文獻:

                  [1] Yu Zhang et al. Phys. Rev. Appl. 9, 064027 (2018).



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