激光加熱基座晶體生長爐（LHPG）具有無坩堝、無污染、溫度梯度大、生長速度快、適合生長高熔點的高質量晶體等*勢。

微波等離子化學氣相沉積技術（MPCVD）制造的微波等離子化學氣相沉積系統, 通過等離子增加前驅體的反應速率，降低反應溫度。適合制備面積大、均勻性好、純度高、結晶形態好的高質量硬質薄膜和晶體。

德國SciDre公司推出的高壓氧氣氛退火爐溫度可達850°C，壓力可達150個大氣壓?？捎糜诟邏壕w生長的料棒前處理。也可用于含氧晶體的高溫退火處理。

四電弧高溫單晶生長爐是電弧加熱的高溫材料合成方法，非常適合生長化學性質活躍但熔點高（般在3000攝氏度左右）的金屬間化合物，包括含有稀土元素（或者金屬鈾）的二元及四元金屬間化合物等合金單晶。

德國SciDre 高溫高壓光學浮區爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達300Bar，甚至10-5mBar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。